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2011年半導體廠家資本支出（CAPEX）大約658億美元，比2010年增加了14.3%，其中設備支出大約440億美元，比2010年增加8.0%。預計2012年設備支出大約389億美元，其中晶圓廠（Wafer Fab）設備313億美元，比2011年均有所下滑。主要原因是2010年晶圓廠設備支出比2009年增長了127.1%，2011年又增長了13.3%，2012年出現(xiàn)下滑是正常的。
2012年資本支出超過50億美元的仍然是英特爾、三星電子和臺積電這三家。英特爾為建設全球第一座量產14nm 晶圓廠Fab 42 投資超過50億美元，還有一座試驗開發(fā)性質的14nm 晶圓廠D1X，英特爾繼續(xù)引領半導體產業(yè)向20納米以下發(fā)展，同時也再次確認英特爾在半導體制造領域無可撼動的霸主地位。
三星電子則計劃支出134億美元，是全球半導體領域資本支出最高的廠家，其中40%投入DRAM和NAND內存領域，其中包括引人矚目的中國西安NAND工廠。三星大約50%投入System LSI領域，主要包括晶圓代工和AP業(yè)務。蘋果的A5是其主要代工產品，預計A6 也會是三星代工。因為無論是A5 還是A6 ，與三星自己的AP都非常近似，蘋果擔心委托其他晶圓代工有技術泄露的危險，而給三星則不用擔心這個問題。為了獲得蘋果的認同，A5和A6 將在美國本土的S1廠生產，三星將投資10億美元大幅度擴展S1 廠的產能。
臺積電的28納米工藝是全球僅次于英特爾的最先進的半導體生產工藝，客戶愿意提前現(xiàn)金下單，訂單已經排到2012年年底。臺積電原本預計2012年資本支出60億美元，不過近期臺積電已經表明，可能提高資本支出到70億美元以緩解產能緊張。
